О расчете вольт-амперной характеристики сверхпроводящего туннельного перехода на основе матрицы рассеяния при относительной высоте барьера hb = 3
| dc.contributor.author | Сергеев, Д.М. | |
| dc.contributor.author | Балмухан, И.Н. | |
| dc.date.accessioned | 2019-03-12T07:48:32Z | |
| dc.date.available | 2019-03-12T07:48:32Z | |
| dc.date.issued | 2015-12-30 | |
| dc.description.abstract | В рамках теории квантовых транспортных явлений с применением метода матрицы рассеяния рассчи- таны вольт-амперные характеристики и dI V dV -спектры дифференциальной проводимости сверх- проводящих туннельных переходов при относительной высоте барьера hb = 3. Показана эволюция транспортных характеристик джозефсоновского перехода с изменением сверхпроводящей щели (параметра порядка) от 0,1÷1 усл. ед. В рассматриваемом случае влияние температуры на переход мо- дельно изучено варьированием значения параметра порядка массивного сверхпроводника в диапазоне 0,1÷1 усл. ед., так как относительная прозрачность барьера перехода постоянная (D = 0,1). | ru_RU |
| dc.identifier.citation | Сергеев Д.М. О расчете вольт-амперной характеристики сверхпроводящего туннельного перехода на основе матрицы рассеяния при относительной высоте барьера hb = 3 /Д.М.Сергеев, И.Н.Балмухан //Қарағанды универисетінің хабаршысы. ФИЗИКА Сериясы.=Вестник Карагандинского университета. Серия ФИЗИКА.=Bulletin of the Karaganda University. PHYSICS Series.-2015.-№4.-Р.-12-18 | ru_RU |
| dc.identifier.issn | 0142-0843 | |
| dc.identifier.uri | https://rep.buketov.edu.kz:80//handle/data/4232 | |
| dc.language.iso | en | ru_RU |
| dc.publisher | Изд-во КарГУ | ru_RU |
| dc.relation.ispartofseries | Вестник Карагандинского университета. Серия Физика;№3(79)/2015 | |
| dc.subject | сверхпроводимость | ru_RU |
| dc.subject | туннельный переход | ru_RU |
| dc.subject | эффект Джозефсона | ru_RU |
| dc.subject | вольт-амперная характеристика | ru_RU |
| dc.subject | спектры динамической проводимости | ru_RU |
| dc.subject | высота барьера | ru_RU |
| dc.title | О расчете вольт-амперной характеристики сверхпроводящего туннельного перехода на основе матрицы рассеяния при относительной высоте барьера hb = 3 | ru_RU |
| dc.title.alternative | Барьердің салыстырмалы биіктігі hb = 3 тең асқын өткізгіш туннельдік ауысымның шашырау матрицасы негізінде вольт-амперлік сипаттамасын есептеу туралы | ru_RU |
| dc.title.alternative | About calculation of the current-voltage characteristics of the superconducting tunnel junction based on a scattering matrix at a relative barrier height hb = 3 | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |