О расчете вольт-амперной характеристики сверхпроводящего туннельного перехода на основе матрицы рассеяния при относительной высоте барьера hb = 3

Abstract

В рамках теории квантовых транспортных явлений с применением метода матрицы рассеяния рассчи- таны вольт-амперные характеристики и dI V  dV -спектры дифференциальной проводимости сверх- проводящих туннельных переходов при относительной высоте барьера hb = 3. Показана эволюция транспортных характеристик джозефсоновского перехода с изменением сверхпроводящей щели (параметра порядка) от 0,1÷1 усл. ед. В рассматриваемом случае влияние температуры на переход мо- дельно изучено варьированием значения параметра порядка массивного сверхпроводника в диапазоне 0,1÷1 усл. ед., так как относительная прозрачность барьера перехода постоянная (D = 0,1).