Механизмы радиационного создания Х3–-центров в кристаллах KCL, KBr и KI при пластической и упругой деформации
Loading...
Files
Date
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Изд-во КарГУ
Abstract
Description
Citation
Бижанова К.Б.Механизмы радиационного создания Х3–-центров в кристаллах KCL, KBr и KI при пластической и упругой деформации/ К.Б.Бижанова, К.Ш.Шункеев//Қарағанды универисетінің хабаршысы. Физика Сериясы.=Вестник Карагандинского университета. Серия Физика.-2010.-№2.-C. 17-24
Пластикалық жəне серпімді деформациялардан KCl, KBr жəне KI кристалдарының симметриялары төмендеген кездегі галогендік радиациялық ақаулардың пайда болу механизмдері абсорбциялық спектроскопия əдісімен зерттелді. KCl, KBr жəне KI кристалдарында құрамына пластикалық деформация əсерінен туатын ди- жəне квартет 0 вакансиялар кіретін радиациялық ақаулардың- X - 3 aca жəне ( X )аcac пайда болу мүмкіндігінің артатындығы тағайындалды. KI кристалында серпімді деформация əсерінен 0 галогендік радиациялық ақаулардың — X -3 aca пайда болу мүмкіндігінің азаятындығы, ал KCl жəне KBr кристалдарында серпімді деформацияның əсері болмайтындығы байқалды. Есептеулер нəтижелері серпімді деформация əсері кезінде KI кристалында түйінаралық галоген атомын (Н-ақау) радиациямен тудыру мүмкіндігінің күрт азайып кететіндігін, ал KCl жəне KBr кристалдарында, керісінше, жеңілдейтіндігі дəлелденді. Using absorption spectroscopy the work researches the creation mechanism of halogen radiation defects in KCl, KBr and KI crystals at lattice symmetry lowering by plastic and elastic stress.It is reg- istered that at plastic stress to KCl, KB and KI crystals the radiation defect creation efficiency in creases ( X -3 aca ( X ) acac enters), which content di- and quartet of vacancies created at dislocation interaction. It is registered that at KI crystal the stress leads to the radiation defect creation efficiency decrease ( X -3 acacenters), but it does not influence to KCl and KBr crystals. The calculations confirm that at elastic stress in KI crystal the process of radiation-stimulated creation of inters- titial halogen atom (H-center) is troubled and in KCl and KBr crystals is maintained to the considerable value of relative elastic stress.
Пластикалық жəне серпімді деформациялардан KCl, KBr жəне KI кристалдарының симметриялары төмендеген кездегі галогендік радиациялық ақаулардың пайда болу механизмдері абсорбциялық спектроскопия əдісімен зерттелді. KCl, KBr жəне KI кристалдарында құрамына пластикалық деформация əсерінен туатын ди- жəне квартет 0 вакансиялар кіретін радиациялық ақаулардың- X - 3 aca жəне ( X )аcac пайда болу мүмкіндігінің артатындығы тағайындалды. KI кристалында серпімді деформация əсерінен 0 галогендік радиациялық ақаулардың — X -3 aca пайда болу мүмкіндігінің азаятындығы, ал KCl жəне KBr кристалдарында серпімді деформацияның əсері болмайтындығы байқалды. Есептеулер нəтижелері серпімді деформация əсері кезінде KI кристалында түйінаралық галоген атомын (Н-ақау) радиациямен тудыру мүмкіндігінің күрт азайып кететіндігін, ал KCl жəне KBr кристалдарында, керісінше, жеңілдейтіндігі дəлелденді. Using absorption spectroscopy the work researches the creation mechanism of halogen radiation defects in KCl, KBr and KI crystals at lattice symmetry lowering by plastic and elastic stress.It is reg- istered that at plastic stress to KCl, KB and KI crystals the radiation defect creation efficiency in creases ( X -3 aca ( X ) acac enters), which content di- and quartet of vacancies created at dislocation interaction. It is registered that at KI crystal the stress leads to the radiation defect creation efficiency decrease ( X -3 acacenters), but it does not influence to KCl and KBr crystals. The calculations confirm that at elastic stress in KI crystal the process of radiation-stimulated creation of inters- titial halogen atom (H-center) is troubled and in KCl and KBr crystals is maintained to the considerable value of relative elastic stress.