Энтропийно-метрическая диаграмма хаотических объектов
Loading...
Files
Date
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Изд-во КарГУ
Abstract
Description
Citation
Альжанова А.Е. Энтропийно-метрическая диаграмма хаотических объектов/ А.Е.Альжанова //Қарағанды универисетінің хабаршысы. Физика Сериясы.=Вестник Карагандинского университета. Серия Физика.-2011.-№1.-C.3-6
Ашық жүйелердің өз қауымдық — өз ұқсастық пен өз аффинділік режимдерін анықтау əдісі ұсынылды. Электрондардың, кемтіктердің, бөлшектер кластерлерінің концентрациясының таралуы дифференциалдық теңдеулер жүйесімен сипатталған. Теория оптикалық көшулердің экспериментте байқалатын фонондық, экситондық, фракталды-құрылымдық механизмдерін ескереді. Наноқұрылымды шалаөткізгіш беттер морфологиясы зерттеліп, олар үшін энтропиялық-метрикалық диаграмма тұрғызылды. The method to define the regime of self-organization (self-similarity and self-affinity) of an open system is offered. Distributions of an electron, hole and particle cluster concentrations are described by the system of differential equations. It is shown, that exponents in the distribution laws for concentrations can be chosen as fractal dimensions of self-similar and self-affine nanostructured sets. Morphology of nanostructured semiconductors films is researched. The entropy-metric diagram for the nanostructures semiconductors is built.
Ашық жүйелердің өз қауымдық — өз ұқсастық пен өз аффинділік режимдерін анықтау əдісі ұсынылды. Электрондардың, кемтіктердің, бөлшектер кластерлерінің концентрациясының таралуы дифференциалдық теңдеулер жүйесімен сипатталған. Теория оптикалық көшулердің экспериментте байқалатын фонондық, экситондық, фракталды-құрылымдық механизмдерін ескереді. Наноқұрылымды шалаөткізгіш беттер морфологиясы зерттеліп, олар үшін энтропиялық-метрикалық диаграмма тұрғызылды. The method to define the regime of self-organization (self-similarity and self-affinity) of an open system is offered. Distributions of an electron, hole and particle cluster concentrations are described by the system of differential equations. It is shown, that exponents in the distribution laws for concentrations can be chosen as fractal dimensions of self-similar and self-affine nanostructured sets. Morphology of nanostructured semiconductors films is researched. The entropy-metric diagram for the nanostructures semiconductors is built.