Оптические процессы в хаотически наноструктурированных полупроводниках

Abstract

Флуктуациялық-диссипациялық теореманың кванттық формасы жəне заряд тасымалдаушылардың концентрациясының фракталдық эволюция теңдеуі негізінде оптикалық жұтылудың, шағылудың жəне өткізудің спектрлері алынған, сонымен қатар фотонның ортада оқшаулану үдерісі сипатталған. Флук- туациялар электрондардың тығыздығының таралуының тепе-теңсіз корреляциялық функциясы ретін- де анықталған. Диссипация фотондандардың тепе-тең таралуы арқылы берілген. Электрондардың, кемтіктердің, бөлшектер кластерлерінің концентрациясының таралуы дифференциалдық теңдеулер жүйесімен берілген. Теория оптикалық көшулердің экспериментте байқалатын фонондық, экситон- дық, фракталдық құрылымдық механизмдерін ескереді. Босқыл, кеуекті жəне хаосты наноқұрылымды жартылай өткізгіштердің спектрлерін теория негізінде түсіндіруге болатындығы көрсетілген.

On the basis of the quantum form of fluctuating-dissipative theorem and equation for fractals evolution of current carrier’s concentration we obtained theoretical absorption, reflection and transmission spectra, and also we described process of light localization in a medium. Fluctuations have been described by the nonequilibrium functions of density of distribution of electrons. Dissipation has been characterized by using of equilibrium distribution of photons. Distribution of concentration of electrons, holes and clusters of particles was described by the system of differential equations. Photonic and exciton mechanisms of optical transition obtained by experiments are taken into account by the theory. It was shown, that by use of the theory we can describe spectra of amorphous, porous and chaotic nanostructured semiconductors.