Радиационные дефекты в кристаллах LiF, облученных ионами 84Kr+14 с энергией 150 МэВ

Abstract

В статье показано, что центры окраски образуют структуру дефектов, которые изучаются в кристаллах LiF, облученных высокоэнергетическими ионами 84Kr+14 (Е = 150 МэВ) при комнатной температуре с током в пучке, равном 10 нА/см2, и флюенсом от 1011 до 1014 ион/см2 на ускорителе тяжелых ионов ДЦ-60 (Астана, Казахстан). Отмечено, что при флюенсе облучения 1011 ион/см2 с использованием растрового микроскопа наблюдали вытравленные ионные треки; при облучении выше данного флюенса также наблюдали некоторые структурные модификации в облученном слое, которые проявлялись в наличии дислокаций и наноразмерных зерен. Определено, что роль флюенса в возникновении электронных центров окраски и структурных неоднородностей до сих пор до конца не выяснена.