ОСОБЕННОСТИ НАКОПЛЕНИЯ ПРИМЕСНЫХ РАДИАЦИОННО-НАВЕДЕННЫХ ЦЕНТРОВ В LiKSO4

Abstract

Мақалада қалайы жəне қорғасын иондарымен белсендірілген LiKSO4 кристалдарына зерттеу- лер жүргізілген. 215 жəне 280 К-да оларда жаңа ТСЛ шыңдары пайда болатындығы көрсе- тілген. Бұл радиациялы-ынталандырылған қоспалы центрлердің ыдырауымен байланысты. Ондай центрлердің құрылуына жəне жинақталуына кристалдық тордың құрылымы əсер ететіндігі алғаш рет анықталған. 180 К жоғары температураларда Me+ центрлердің құры- луы айтарлықтай жасытылатындығы байқалған. 250 К температурадағы полиморфтық ауысудың радиациялы-ынталандырылған қоспалы центрлерге əсер етуі тіркелмеген. Құры- лымның электрондардың қоспалы иондармен қармалуына ықпалы электрон-фонондық өзара əрекеттің өзгерісімен байланысты деп болжанды. In this work the research of crystals LiKSO4 doped by tin and lead is carried out. It is shown, that in crystals doped by the tin and lead occurs new TL peaks at 215 К and 280 К accordingly. It is established, that these peaks of a luminescence are connected with disintegration of the radiation induced impurity centres. For the first time it is shown, that the structure of a crystal lattice renders influence on formation and the accumulation of the impurity radiation-induced the centres. It is established, that the formation of the centres Me+ at temperatures higher 180 К is essentially suppressed. The effects influence of polymorphic transition at 250 К on properties of impurity radiation-induced the is not revealed. It is supposed, that the influence of structure on capture of electrons by impurity ions is connected to changes of electron-phonon interaction.