Некоторые особенности оптоэлектронных свойств пористого кремния, полученного в модифицированном электролите
Loading...
Date
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Изд-во КарГУ
Abstract
Description
Citation
Диханбаев К.К. Некоторые особенности оптоэлектронных свойств пористого кремния, полученного в модифицированном электролите/К.К.Диханбаев//Қарағанды универисетінің хабаршысы. Физика Сериясы.=Вестник Карагандинского университета. Серия Физика.-2011.-№2.-C.13-17
Сутекті фтор концентрациясының модификацияланған электролитте электрохимиялық анодтау тəсілімен алынған кеуек кремний қабықшасының оптоэлектрондық қасиеттеріне əсері зерттелді. Этоксиэтанол ерітіндісінде HF концентрациясы азайтылған сайын фотолюминесценция спектрінің шыңы, қысқа толқын ұзындығына ығысатындығын жəне люминесценция қарқындылығының кванттық өлшем эффектісі бойынша өсетінін тəжірибе жүзінде көрсеттік. Сонымен қатар кеуек кремний қабықшасының Раман спектрінің кіші жиілік аумағына ұлғаюын аңғардық, ал нанокристаллиттер өлшемінің ең кіші диаметрі 3,6 нм құрды. The influence of the concentration of hydrofluoric acid on the optoelectronic properties of porous silicon received by electrochemical anodizing in the modified electrolyte is investigated. It is shown experimentally that a decreasing HF concentration in the solution with ethoxyethanol, the peak photoluminescence spectrum shifts to a shorter wavelengths with increasing intensity of luminescence due to quantum confinement effect. It was also observed low-frequency shift of the Raman spectrum of porous silicon samples with increasing concentration of HF, with a minimum size of 3.6 nm nanocrystals.
Сутекті фтор концентрациясының модификацияланған электролитте электрохимиялық анодтау тəсілімен алынған кеуек кремний қабықшасының оптоэлектрондық қасиеттеріне əсері зерттелді. Этоксиэтанол ерітіндісінде HF концентрациясы азайтылған сайын фотолюминесценция спектрінің шыңы, қысқа толқын ұзындығына ығысатындығын жəне люминесценция қарқындылығының кванттық өлшем эффектісі бойынша өсетінін тəжірибе жүзінде көрсеттік. Сонымен қатар кеуек кремний қабықшасының Раман спектрінің кіші жиілік аумағына ұлғаюын аңғардық, ал нанокристаллиттер өлшемінің ең кіші диаметрі 3,6 нм құрды. The influence of the concentration of hydrofluoric acid on the optoelectronic properties of porous silicon received by electrochemical anodizing in the modified electrolyte is investigated. It is shown experimentally that a decreasing HF concentration in the solution with ethoxyethanol, the peak photoluminescence spectrum shifts to a shorter wavelengths with increasing intensity of luminescence due to quantum confinement effect. It was also observed low-frequency shift of the Raman spectrum of porous silicon samples with increasing concentration of HF, with a minimum size of 3.6 nm nanocrystals.