МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭКСИТОНОВ И ИХ РАСПАДА НА ДЕФЕКТЫ В КРИСТАЛЛАХ KDP

Abstract

KDP кристалдарын ультракүлгін жарықпен сəулелеу кезінде фундаменталды жұту жолағы аймағында ендірілген жұту жолақтары пайда болатыны белгілі. Термиялық кезеңде В-радикалдарының азаюы кезінде А-радикалдарының саны артатыны да анық. Біз В-ради- калдарының ыдырауын экситондардың түзілуі арқылы жүреді деп санаймыз. А-радикалдары экситондардың сəуле шығармай ыдырауы нəтижесінде туындайды. Квантты-химиялық модельдеу KDP-дағы аталған ақау құрылу каналының мүмкін екендігін көрсетті. It is known, the induced absorption band arises at an irradiation KDP by UV-light in the field of a fundamental absorption band. It is known, the reduction of B-radicals is observed with increase of A-radicals at thermal stage. We consider that disintegration of B-radicals occurs through formation of excitons. A-radical are formed as result of unemission exciton disintegration. The quantumchemical modeling shows an opportunity of realization of the given channel of defect formation in KDP.