Стабилизация H-центров в кристалле MgF2. Расчеты из первых принципов

Abstract

В статье предложены результаты расчетов основных центров окраски (называемых так же, как H-центры). Эти исследования проведены в большом масштабе и основаны на неэмпирических расчетах теории функционала плотности с использованием гибридных обменно-корреляционных функций, внедренных в код Crystal09. Для того чтобы понять поведение материала по отношению к облучению и его оптические свойства, были проанализированы электронная структура, релаксация атомной геометрии и распределение плотности заряда. Показано, что энергетическая ориентация с направлением (110) является самой главной для Н-центров в кристаллах MgF2.