РЕКОМБИНАЦИОННАЯ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ АММОНИЙНО-ГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ, АКТИВИРОВАННЫХ ИОНАМИ ОЛОВА ИЛИ СВИНЦА

Abstract

Зерттеу нысаны — Sn2+ немесе Pb2+ иондарымен белсендірілген аммоний галоидінің кристалдары. Осы қоспалы иондарды енгізу сəйкесінше 140 немесе 130 К кезінде жаңа ТЛ шыңының пайда болуына алып келетіндігі анықталды. Бұл жарқырау Vkz-центрлердің ыдырауымен байланысты Sn2+ жəне Pb2+ иондары электрондар үшін қақпан болатыны көрсетілген. The objects of our research were ammonium halide crystals doped by ions Sn2+ or Pb2+. It is established, that the presence of these impurities ions results a new TL peak at 140 К or 130 К in NH4Cl or NH4Br accordingly. The measurements of optical absorption curves and dependences of optical density for irradiated crystals have shown, that new TL peaks are connected to disintegration of the radiation induced impurities centres. It is established, that the ions Sn2+ and Pb2+ are traps for electrons. This impurities ions increase the thermal stability of Vk-centers. The luminescence at 130- 140 K is connected to disintegration of the Vkz-centres with Me+. The mechanism of recombination process is hole.