Моделирование кинетики автолокализации экситонов в кристаллах KI и RbI при всестороннем сжатии решетки
Loading...
Date
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Изд-во КарГУ
Abstract
Description
Citation
Жантурина Н.Н. Моделирование кинетики автолокализации экситонов в кристаллах KI и RbI при всестороннем сжатии решетки/ Жантурина Н.Н.,Шункеев К.Ш.//Қарағанды универисетінің хабаршысы. Физика Сериясы.=Вестник Карагандинского университета. Серия Физика.-2011.-№3.-C.8-11
Сілтілі-галоидты кристалдардағы экситондардың тұрақталу жылдамдығы теориясы қарастырылды. KI жəне RbI кристалдарында экситондардың тұрақталу жылдамдығының температурадан тəуелді графигі салынып, температура артқан сайын тұрақталу жылдамдығы жоғарылай түсетіні көрсетілді. Осы кристалдарда бос жүйе гамильтонианың пайдалана отырып, бос экситондардың тұрақталуға дейін уақыт, еркін жүгіру жолы формулалары қорытылып, KI жəне RbI кристалдарында сəйкес шамалар есептелінді. RbI, KCl, KI, KBr, NaBr, NaI, CsI қатарында бос экситондардың өмір сүру уақыты азаятыны талданды. Алынған нəтижелер эксперименттік мəндермен сəйкес келіп, сілтілі-галоидты кристалдардағы люминесценция кинетикасын жəне ақаулар пайда болу шарттарын зерттеуге мүмкіндік берді. In the article the theory of auto localization rate of excitons is considered. With help of the graphs it was shown that in KI and RbI crystals with increasing temperature the rate of auto localization increases and decreases with increasing degree of compression at a fixed temperature. With use of the quantum-mechanical methods we were able calculate the lifetime of free excitons, the free run length of excitons before auto localization. We have analyzed that the lifetime of free excitons decreases in the sequence RbI, KCl, KI, KBr, NaBr, NaI, CsI. The results are in good agreement with experimental data and allow us to study the kinetics of luminescence decay and conditions of defect formation in alkali halide crystals.
Сілтілі-галоидты кристалдардағы экситондардың тұрақталу жылдамдығы теориясы қарастырылды. KI жəне RbI кристалдарында экситондардың тұрақталу жылдамдығының температурадан тəуелді графигі салынып, температура артқан сайын тұрақталу жылдамдығы жоғарылай түсетіні көрсетілді. Осы кристалдарда бос жүйе гамильтонианың пайдалана отырып, бос экситондардың тұрақталуға дейін уақыт, еркін жүгіру жолы формулалары қорытылып, KI жəне RbI кристалдарында сəйкес шамалар есептелінді. RbI, KCl, KI, KBr, NaBr, NaI, CsI қатарында бос экситондардың өмір сүру уақыты азаятыны талданды. Алынған нəтижелер эксперименттік мəндермен сəйкес келіп, сілтілі-галоидты кристалдардағы люминесценция кинетикасын жəне ақаулар пайда болу шарттарын зерттеуге мүмкіндік берді. In the article the theory of auto localization rate of excitons is considered. With help of the graphs it was shown that in KI and RbI crystals with increasing temperature the rate of auto localization increases and decreases with increasing degree of compression at a fixed temperature. With use of the quantum-mechanical methods we were able calculate the lifetime of free excitons, the free run length of excitons before auto localization. We have analyzed that the lifetime of free excitons decreases in the sequence RbI, KCl, KI, KBr, NaBr, NaI, CsI. The results are in good agreement with experimental data and allow us to study the kinetics of luminescence decay and conditions of defect formation in alkali halide crystals.