Размерные эффекты при протонной релаксации в области сверхнизких температур

Abstract

С помощью квантово-механического выражения для плотности тока термостимулированной деполяризации (ТСТД) исследованы размерные эффекты при протонной релаксации в нанометровых слоях кристаллогидратов (халькантит) и слоистых силикатов. Установлено, что сокращение кристаллического слоя от 30 мкм до 3 нм приводит к смещению теоретического максимума плотности ТСТД низкотемпературных релаксаторов (протонов) в сторону гелиевых температур с возрастанием амплитуды максимума на 3–4 порядка.