ФОТО- И РЕКОМБИНАЦИОННАЯ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ KPO3

Abstract

Зерттеу нысандары — поликристалдар мен шыны түріндегі KPO3. Қоспалы люминесценттік зондтардың параметрлері матрица құрылымына сезімтал екендігі көрсетілді. Матрица құ- рылысының əсері рекомбинациялық люминесценцияда анық байқалады. Кристалда қоздыру жəне сəуле шығару спектрлері максимумдары сəйкесінше 3,76 жəне 4,90 эВ құрайды. Шыны тəріздес күйде — 3,85 жəне 5,15 эВ. Қоспалы орталықтардың негізгі параметрлері анықтал- ды. Кристалл үшін ТСЛ қисығында максимумы 100 К болатын жалғыз жарқырау шыңы тіркелді, ал шыныда оның максимумы — 260 К. Шыны тəріздес үлгілерде матрицаның радиа- циялық ақауларының жылулық тұрақтылығы жоғары екені тағайындалды. Кристалдық түр- ден шыны тəріздес түрге өту рекомбинациялық процестің механизмін өзгертпейтіндігі негіз- гі факт болып табылады. Оның механизмі электрондық екені анықталды. The objects of our research were glass and polycrystals KPO3. It is shown, that the parameters of impurity luminescence centers are sensitive to structure of a matrix. The influence of a matrix structure is sharper in recombination luminescence. In a crystal spectra of excitation and the emission have maxima at 3,76 eV and 4,90 eV, accordingly,. in glasslike sample — 3,85 eV and 5,15 eV. The basic parameters of impurity centres are established. On TL curve for a crystal one peak of a luminescence with a maximum is observed at 100 К, and glass at 260 К. It is established, that the level of thermal stability are higher for radiation defects of a matrix in the glass samples. The fact is important, that the transition from crystal to glass does not change the mechanism of recombination process. It is electronic.