Стабилизация H-центров в кристалле MgF2. Расчеты из первых принципов - Абуова, Ф.У.; Акылбеков, А.Т.; Усеинов, А.Б.; Абуова, А.У.; Каптагай, Г. (Издательство КарГУ им. Е.А.Букетова, 2013)
В статье предложены результаты расчетов основных центров окраски (называемых так же, как H-центры). Эти исследования проведены в большом масштабе и основаны на неэмпирических расчетах теории функционала плотности с использованием гибридных обменно-корреляционных функций, внедренных в код Crystal09. Для того чтобы понять поведение материала по отношению к облучению и его оптические свойства, были проанализированы электронная структура, релаксация атомной геометрии и распределение плотности заряда. Показано, что энергетическая ориентация с направлением (110) является самой главной для Н-центров в кристаллах MgF2.
MgF2 кристалындағы Н-орталықтарының тұрақтылығы. Алғашқы принциппен есептеу
Stabilization of the H-centers in MgF2 crystals. First principles calculations
Keywords: crystal; ab-initio; DOS; рутил; теория функционала плотности